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TK39J60W,S1VQ

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：TO-3P（N）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：75 - 立即發(fā)貨
  • 價格：68.250
  • 類型：FET - 單
  • PDF：TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    超級結(jié)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    600V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    38.8A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    65 毫歐 @ 19.4A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    3.7V @ 1.9mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    110nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    4100pF @ 300V

  • 功率 - 最大值

    270W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

  • 產(chǎn)品描述備注

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