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SIHB12N60E-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：D2PAK
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：684 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：14.560
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

  • 包裝

    散裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    600V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    12A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    380 毫歐 @ 6A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    58nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    937pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    147W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    MOSFET N-CH 600V 12A TO263

  • 產(chǎn)品描述備注

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