IRFS38N20DPBF
管件 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
200V
43A (Tc)
54 毫歐 @ 26A,10V
5V @ 250μA
91nC @ 10V
2900pF @ 25V
3.8W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK