IRF7853PBF
管件 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
100V
8.3A (Ta)
18 毫歐 @ 8.3A,10V
4.9V @ 100μA
39nC @ 10V
1640pF @ 25V
2.5W
表面貼裝
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC