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IPD65R600E6

  • 廠家：Infineon Technologies
  • 封裝：PG-TO252-3
  • 批號：--
  • 數(shù)量：2,500 - 立即發(fā)貨
  • 價格：4.915
  • 類型：FET - 單
  • PDF：IPD65R600E6

IPD65R600E6

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    CoolMOS??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    650V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    7.3A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    600 毫歐 @ 2.1A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    3.5V @ 210μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    23nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    440pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    63W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • 產品簡介說明

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

  • 產品描述備注

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