IPB65R310CFD
帶卷 (TR) 可替代的包裝
CoolMOS??
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
650V
11.4A (Tc)
310 毫歐 @ 4.4A,10V
4.5V @ 400μA
41nC @ 10V
1100pF @ 100V
104.2W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263