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HSG1002VE-TL-E

  • 廠家：Renesas Electronics America
  • 封裝：4-MFPAK
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢(xún)
  • 價(jià)格：詢(xún)價(jià)
  • 類(lèi)型：RF 晶體管
  • PDF：HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • 晶體管類(lèi)型

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    3.5V

  • 頻率 - 躍遷

    38GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）

    0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz

  • 增益

    8dB ~ 19.5dB

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    100 @ 5mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    35mA

  • 安裝類(lèi)型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    4-SMD，鷗翼型

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

  • 產(chǎn)品描述備注

特價(jià)專(zhuān)區(qū)

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