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CSD16327Q3

  • 廠家：Texas Instruments
  • 封裝：8-SON-EP（3.3x3.3）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：2,500 - 立即發(fā)貨15,000 - 廠方庫存
  • 價(jià)格：3.071
  • 類型：FET - 單
  • PDF：CSD16327Q3

CSD16327Q3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    NexFET??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    25V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    60A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    4 毫歐 @ 24A，8V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    8.4nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    1300pF @ 12.5V

  • 功率 - 最大值

    3W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-TDFN 裸露焊盤

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

  • 產(chǎn)品描述備注

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